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BSC060N10NS3 G

FET - 单
  • 封装：8-PowerTDFN
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.1226-$1.21615

更新日期：2024-04-01

BSC060N10NS3 G

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8

  • 封装：8-PowerTDFN
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.1226-$1.21615

BSC060N10NS3 G 供应商

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BSC060N10NS3 G 中文资料属性参数

  • 数据列表：BSC060N10NS3 GBSC060N10NS3 G
  • 标准包装：5,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：90A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6 毫欧 @ 50A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 90µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：68nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：4900pF @ 50V
  • 功率 - 最大：125W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BSC060N10NS3 G-NDBSC060N10NS3 GTRSP000446584

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