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BSB012N03LX3 G
FET - 单- 封装：3-WDSON
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$1.03992-$1.12658
更新日期：2024-04-01 00:04:00
BSB012N03LX3 G
FET - 单产品简介：MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
- 封装：3-WDSON
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$1.03992-$1.12658
BSB012N03LX3 G 中文资料属性参数
- 数据列表：BSB012N03LX3 G
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：39A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.2 毫欧 @ 30A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：169nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：16900pF @ 15V
- 功率 - 最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：3-WDSON
- 供应商设备封装：MG-WDSON-2，CanPAK M?
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSB012N03LX3 G-NDSP000597846
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