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2SK3318

FET - 单
  • 封装：TOP-3F
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：散装

更新日期：2024-04-01 00:04:00

2SK3318

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 600V 15A TOP-3F

  • 封装：TOP-3F
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：散装

2SK3318 中文资料属性参数

  • 数据列表：2SK3318 View all Specifications
  • 标准包装：40
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：15A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：460 毫欧 @ 7.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：3500pF @ 20V
  • 功率 - 最大：100W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TOP-3F
  • 供应商设备封装：TOP-3F-A1
  • 包装：散装

2SK3318 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2SK3318

Silicon N-channel power MOSFET

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