搜索
发布采购
2SJ0536G0L
FET - 单- 封装：SC-85
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
2SJ0536G0L
FET - 单产品简介：MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3
- 封装：SC-85
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
2SJ0536G0L 中文资料属性参数
- 数据列表：2SJ0536G View All Specifications
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：75 欧姆 @ 10mA，5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 1µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-85
- 供应商设备封装：S迷你型3-F2
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：2SJ0536G0LTR
2SJ0536G0L 相关产品
- 2N7000
- 2N7000BU
- 2N7000G
- 2N7000RLRAG
- 2N7000RLRMG
- 2N7000TA
- 2N7002
- 2N7002,215
- 2N7002-7-F
- 2N7002A-7
- 2N7002BK,215
- 2N7002BKM,315
- 2N7002BKT,115
- 2N7002BKW,115
- 2N7002E
- 2N7002E,215
- 2N7002E-7-F
- 2N7002E-T1-E3
- 2N7002ET1G
- 2N7002E-T1-GE3
- 2N7002F,215
- 2N7002K
- 2N7002K-7
- 2N7002K-T1-E3
- 2N7002KT1G
- 2N7002K-T1-GE3
- 2N7002K-TP
- 2N7002LT1
- 2N7002LT1G
- 2N7002LT3G