您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

2N7002T

Fairchild Semiconductor FET - 单
  • 封装：SC-89，SOT-490
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.06313-$0.0909

更新日期：2025-01-08

2N7002T

Fairchild Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F

  • 封装：SC-89，SOT-490
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.06313-$0.0909

2N7002T 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

2N7002T 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：115mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.5 欧姆 @ 50mA，5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 25V
  • 功率 - 最大：200mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-89，SOT-490
  • 供应商设备封装：SOT-523F
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：2N7002TTR

2N7002T 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N7002TA

MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:115mA; Package / Case:SOT-23; Pin Configuration:1(G), 2(S),3(D); Power Dissipation Pd:330mW; Pulse Current Idm:800mA; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V; Voltage Vgs th Min:1V

4页,145K 查看

2N7002T 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9