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2N7002-T1-E3

FET - 单
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.07

更新日期：2024-04-01

2N7002-T1-E3

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.07

2N7002-T1-E3 供应商

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2N7002-T1-E3 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：115mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.5 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 25V
  • 功率 - 最大：200mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：TO-236
  • 包装：带卷 (TR)

2N7002-T1-E3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N7002-T1-E3

MOSFET,N CH,60V,0.115A,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.1V; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:115mA; Current Temperature:25°C; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Gfs Min:80mA/V; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:200mW; Pulse Current Idm:800mA; SMD Marking:72; Tape Width:8mm; T...

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