您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

IRLMS2002TR

International Rectifier FET - 单
  • 封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：剪切带 (CT)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRLMS2002TR

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

  • 封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：剪切带 (CT)

IRLMS2002TR 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

IRLMS2002TR 中文资料属性参数

  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1310pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）
  • 供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）
  • 包装：剪切带 (CT)
  • 其它名称：*IRLMS2002TRIRLMS2002CT

IRLMS2002TR 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRLMS2002TRPBF

N CHANNEL MOSFET, 20V, 6.5A, MICRO6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V ;RoHS Compliant: Yes

8页,96K 查看

IRLMS2002TR 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9