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IRLML5103TRPBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.086-$0.109

更新日期：2025-01-08 11:01:05

IRLML5103TRPBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.086-$0.109

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IRLML5103TRPBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：760mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：600 毫欧 @ 600mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：5.1nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：75pF @ 25V
  • 功率 - 最大：540mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRLML5103PBFTR

IRLML5103TRPBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRLML5103TRPBF

P CH MOSFET, -30V, 760mA, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-760mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.6ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-1V ;RoHS Compliant: Yes

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