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FQPF12N60C

Fairchild Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-220-3 整包
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

更新日期：2024-04-01

FQPF12N60C

Fairchild Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F

  • 封装：TO-220-3 整包
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

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FQPF12N60C 中文资料属性参数

  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：QFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：650 毫欧 @ 6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2290pF @ 25V
  • 功率 - 最大：51W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装：TO-220F
  • 包装：管件

FQPF12N60C 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
FQPF12N60C

FQP12N60C/FQPF12N60C

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