- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.02795-$0.04945
更新日期:2025-03-11
产品简介:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.02795-$0.04945
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BSS123 中文资料属性参数
- 产品培训模块:High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:170mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:2.5nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:73pF @ 25V
- 功率 - 最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:BSS123NBSS123NTR
BSS123 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
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