2N7000RLRMGON Semiconductor
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- 标准包装 :2,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :200mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :3V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :60pF @ 25V
- 功率 - 最大 :350mW
- 安装类型 :通孔
- 封装/外壳 :TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装 :TO-92-3
- 包装 :带盒（TB）
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