DRV5057A1QDBZR

Texas Instruments 线性、罗盘（IC）

更新日期：2024-04-01

DRV5057A1QDBZR

Texas Instruments 线性、罗盘（IC）

产品简介：具有 PWM 输出的线性霍尔效应传感器

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DRV5057A1QDBZR 供应商

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型号
品牌
封装/批号
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日期
说明
询价

上海三崧电子有限公司 保2千
DRV5057A1QDBZR
TI
原厂原装
22+
3288
上海市
-
一级代理原装

深圳市讯运电子有限公司
DRV5057A1QDBZR
TI(德州仪器)
TO-236-3
2022+
12000
上海市
-
原装可开发票

DRV5057A1QDBZR 中文资料属性参数

现有数量：0现货9,000Factory查看交期
价格：3,000 : ￥5.02434卷带（TR）
系列：-
包装：卷带（TR）
产品状态：在售
技术：霍尔效应
轴：单路
输出类型：PWM
感应范围：±21mT
电压 - 供电：3V ~ 3.63V，4.5V ~ 5.5V
电流 - 供电（最大值）：10mA
电流 - 输出（最大值）：20mA
分辨率：-
带宽：2kHz
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
特性：温度补偿
供应商器件封装：SOT-23-3
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

产品特性

PWM 输出线性霍尔效应磁传感器
由 3.3V 和 5V 电源供电
2kHz 时钟输出，静态占空比为 50%
磁性灵敏度选项（V CC = 5V 时）： A1 /Z1：2%D/mT，±21mT 范围 A2 /Z2：1%D/mT，±42mT 范围 A3 /Z3：0.5%D/mT，±84mT 范围 A4 /Z4：0.25%D/mT，±168mT 范围
A1 /Z1：2%D/mT，±21mT 范围
A2 /Z2：1%D/mT，±42mT 范围
A3 /Z3：0.5%D/mT，±84mT 范围
A4 /Z4：0.25%D/mT，±168mT 范围
开漏输出，具有 20mA 灌电流能力
磁体温度漂移补偿（针对 A1/A2/A3/A4 版本提供，针对 Z1/Z2/Z3/Z4 版本不提供）
行业标准封装：表面贴装 SOT-23 穿孔 TO-92
表面贴装 SOT-23
穿孔 TO-92

产品概述

DRV5057 是一款线性霍尔效应传感器，可按比例响应磁通量密度。该器件可用于在各种应用中进行精确的位置检测。该器件由 3.3V 或 5V 电源供电。当不存在磁场时，输出产生占空比为 50% 的时钟。输出占空比会随施加的磁通量密度呈线性变化，四个灵敏度选项可以根据所需的感应范围最大限度扩大输出动态范围。南北磁极产生唯一的输出。典型的脉宽调制 (PWM) 载波频率为 2kHz。它可检测垂直于封装顶部的磁通量，而且两个封装选项提供不同的检测方向。由于 PWM 信号基于边沿到边沿定时，因此当存在电压噪声或接地电势失配时，可保持信号完整性。该信号适合嘈杂环境中的远距离传输，始终存在的时钟使得系统控制器能够确认具备良好的互连。此外，该器件具有磁体温度补偿功能，可抵消磁体漂移，在 –40°C 至 +125°C 的宽温度范围内实现线性性能。还提供了无磁体漂移温度补偿的器件选项。

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DRV5057A1QDBZR 电路图

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