搜索
发布采购
更新日期：2024-04-01
产品简介：小尺寸（采用 WCSP 和 X2SON 封装）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器
查看详情DRV5011ADLPGM 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
TI
-
原厂原装
22+ -
3288
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
TI(德州仪器)
-
TO-92-3
2022+ -
12000
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
DRV5011ADLPGM 中文资料属性参数
- 现有数量：2,770现货
- 价格：1 : ￥3.90000剪切带（CT）3,000 : ￥1.46477卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）
- 产品状态：在售
- 功能：卡销
- 技术：霍尔效应
- 极化：北极，南极
- 感应范围：±3.8mT 跳闸，±0.6mT 释放
- 测试条件：-40°C ~ 135°C
- 电压 - 供电：2.5V ~ 5.5V
- 电流 - 供电（最大值）：3mA
- 电流 - 输出（最大值）：30mA
- 输出类型：推挽式
- 特性：温度补偿
- 工作温度：-40°C ~ 135°C（TA）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-92-3
- 封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体
产品特性
- 超小型 X2SON、SOT-23、DSBGA 或 TO-92 封装
- 高磁性灵敏度：±2mT（典型值）
- 可靠磁滞：4mT（典型值）
- 快速感应带宽：30kHz
- VCC 工作范围：2.5V 至 5.5V
- 推挽式 CMOS 输出 支持 5mA 拉电流和 20mA 灌电流
- 支持 5mA 拉电流和 20mA 灌电流
- 工作温度：-40°C 至 +135°C
产品概述
DRV5011 器件是一款数字锁存器霍尔效应传感器，专为电机和其他旋转系统而设计。此器件具有工作电压范围为 2.5V 至 5.5V 的高效低电压架构，采用标准 SOT-23 封装以及薄型 X2SON、DSBGA 和 TO-92 封装。输出端采用推挽驱动器，无需使用上拉电阻器，使系统更加紧凑小巧。当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时，该器件会驱动低电压。输出会保持低电平，直到应用北极并且超出 BRP 阈值，这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出，且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。器件在 –40°C 至 +135°C 的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。
™
DRV5011ADLPGM 电路图
DRV5011ADLPGM 电路图
DRV5011ADLPGM 相关产品
- A1125ELHLX-T
- A1125LLHLX-T
- A1318LLHLT-1-T
- AH1806-W-7
- AH1808-Z-7
- AH1809-P-B
- AH1809-W-7
- AH1809-Z-7
- AH1810-W-7
- AH1893-Z-7
- AH211Z4-BG1
- AH276Z4-AG1
- AH49FZ3-G1
- AH9247NTR-G1
- AH9248Z3TR-G1
- AK09911C
- AK8788A
- BMM150
- BU52012NVX-TR
- BU52053NVX-TR
- BU52055GWZ-E2
- BU52056NVX-TR
- DRV425QWRTJRQ1
- DRV425RTJR
- DRV425RTJT
- DRV5011ADDBZR
- DRV5011ADDMRR
- DRV5011ADLPG
- DRV5011ADLPGM
- DRV5011ADYBHR