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DRV425RTJR

Texas Instruments 线性、罗盘（IC）

更新日期：2024-04-01

DRV425RTJR

Texas Instruments 线性、罗盘（IC）

产品简介：用于开环应用的全集成式磁通门磁传感器

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DRV425RTJR 供应商

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DRV425RTJR 中文资料属性参数

  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：3,000 : ￥32.79335卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）
  • 产品状态：在售
  • 技术：Fluxgate
  • 轴：单路
  • 输出类型：模拟电压
  • 感应范围：±2.0mT
  • 电压 - 供电：3V ~ 5.5V
  • 电流 - 供电（最大值）：10mA
  • 电流 - 输出（最大值）：20mA
  • 分辨率：-
  • 带宽：47kHz，32kHz
  • 工作温度：-50°C ~ 150°C（TA）
  • 特性：可选数值范围
  • 供应商器件封装：20-QFN（4x4）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：20-WFQFN 裸露焊盘

产品特性

  • 高精度、集成磁通门传感器： 偏移：±8µT（最大值） 偏移漂移：±5nT/°C（典型值） 增益误差： 0.04%（典型值） 增益漂移：±7ppm/°C（典型值） 线性度：±0.1% 噪声：1.5nT/√Hz（典型值）
  • 偏移：±8µT（最大值）
  • 偏移漂移：±5nT/°C（典型值）
  • 增益误差： 0.04%（典型值）
  • 增益漂移：±7ppm/°C（典型值）
  • 线性度：±0.1%
  • 噪声：1.5nT/√Hz（典型值）
  • 传感器范围：±2mT（最大值） 范围和增益可通过外部电阻进行调节
  • 范围和增益可通过外部电阻进行调节
  • 可选带宽：47kHz 或 32kHz
  • 精密基准： 精度：2%（最大值），漂移：50ppm/°C（最大值） 引脚可选电压：2.5V 或 1.65V 可选比例模式：VDD/2
  • 精度：2%（最大值），漂移：50ppm/°C（最大值）
  • 引脚可选电压：2.5V 或 1.65V
  • 可选比例模式：VDD/2
  • 诊断 特性: 超限和错误标志
  • 电源电压范围：3.0V 至 5.5V
  • 线性位置感测
  • 母线电流感测
  • 走线电流感测
  • 通用磁场传感器
  • 过流检测
  • 电机可靠性诊断
  • 频率和电压逆变器
  • 太阳能逆变器

产品概述

DRV425 专为单轴磁场感测 需要快速切换频率的应用， 而设计，可实现电气隔离式高灵敏度精密直流和交流磁场测量。该器件可提供独特且专有的集成磁通门传感器 (IFG)。该传感器内置一个补偿线圈，支持 ±2mT 的高精度感测范围，测量带宽最高可达 47kHz。该传感器的低偏移、低漂移、低噪声特性与内部补偿线圈的精确增益、低增益漂移和极低非线性度相结合，可提供无与伦比的磁场测量精度。DRV425 输出与感测到的场强成正比的模拟信号。DRV425 提供了一组完整 采用，包括内部差分放大器、片上精密基准以及诊断功能，能够最大限度地减少组件数量并削减系统级成本。DRV425 采用带有 PowerPAD的耐热增强型、无磁性、超薄四方扁平无引线 (WQFN) 封装来实现优化散热，并且在 –40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围内额定运行。
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DRV425RTJR 电路图

DRV425RTJR 电路图

DRV425RTJR 电路图

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