DRV5055A4EDBZRQ1

Texas Instruments 线性、罗盘（IC）

更新日期：2024-04-01

DRV5055A4EDBZRQ1

Texas Instruments 线性、罗盘（IC）

产品简介：具有模拟输出的汽车级、比例式线性霍尔效应传感器

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DRV5055A4EDBZRQ1 供应商

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上海三崧电子有限公司 保2千
DRV5055A4EDBZRQ1
TI
原厂原装
22+
3288
上海市
-
一级代理原装

深圳市讯运电子有限公司
DRV5055A4EDBZRQ1
TI(德州仪器)
TO-236-3
2022+
12000
上海市
-
原装可开发票

DRV5055A4EDBZRQ1 中文资料属性参数

现有数量：0现货查看交期
价格：1 : ￥15.34000剪切带（CT）3,000 : ￥5.92745卷带（TR）
系列：Automotive, AEC-Q100
包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
产品状态：在售
技术：霍尔效应
轴：单路
输出类型：模拟电压
感应范围：±169mT
电压 - 供电：3V ~ 3.63V，4.5V ~ 5.5V
电流 - 供电（最大值）：10mA
电流 - 输出（最大值）：1mA
分辨率：-
带宽：20kHz
工作温度：-40°C ~ 150°C（TA）
特性：温度补偿
供应商器件封装：SOT-23-3
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

产品特性

比例式线性霍尔效应磁传感器
由 3.3V 和 5V 电源供电
模拟输出，提供 VCC/2 静态失调电压
磁性灵敏度选项（VCC = 5V 时）：A1：100mV/mT，±21mT 范围A2：50mV/mT，±42mT 范围A3：25mV/mT，±85mT 范围A4：12.5mV/mT，±169mT 范围A5：–100mV/mT，±21-mT 范围
A1：100mV/mT，±21mT 范围
A2：50mV/mT，±42mT 范围
A3：25mV/mT，±85mT 范围
A4：12.5mV/mT，±169mT 范围
A5：–100mV/mT，±21-mT 范围
高速 20kHz 传感带宽
低噪声输出，具有 ±1mA 驱动器
磁体温漂补偿
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：温度等级 0 级：-40°C 至 150°C
温度等级 0 级：-40°C 至 150°C
标准行业封装：表面贴装 SOT-23穿孔 TO-92
表面贴装 SOT-23
穿孔 TO-92

产品概述

DRV5055-Q1 是一款线性霍尔效应传感器，可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测，应用范围广泛应用中的电源管理要求。该器件由 3.3V 或 5V 电源供电。当不存在磁场时，模拟输出可驱动 1/2 VCC。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化，五个灵敏度选项可以根据所需的感应范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压。它可检测垂直于封装顶部的磁通量，而且两个封装选项提供不同的检测方向。该器件使用比例式架构，当外部模数转换器 (ADC) 使用相同的 VCC 作为其基准电压时，可以消除 VCC 容差产生的误差。此外，该器件还具有磁体温度补偿功能，可以抵消磁体漂移，在较宽的 –40°C 至 +150°C 温度范围内实现线性性能。

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DRV5055A4EDBZRQ1 电路图

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