DRV5015A3EDBZRQ1

Texas Instruments 开关（固态）

更新日期：2024-04-01

DRV5015A3EDBZRQ1

Texas Instruments 开关（固态）

产品简介：汽车类、高灵敏度 (±2mT)、低电压（高达 5.5V）霍尔效应锁存器

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DRV5015A3EDBZRQ1 供应商

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上海三崧电子有限公司 保2千
DRV5015A3EDBZRQ1
TI
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3288
上海市
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一级代理原装

DRV5015A3EDBZRQ1 中文资料属性参数

现有数量：5,500现货9,000Factory
价格：1 : ￥5.56000剪切带（CT）3,000 : ￥2.09475卷带（TR）
系列：Automotive, AEC-Q100
包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
产品状态：在售
功能：卡销
技术：霍尔效应
极化：北极，南极
感应范围：3.7mT 跳闸，-3.7mT 释放
测试条件：-40°C ~ 125°C
电压 - 供电：2.5V ~ 5.5V
电流 - 供电（最大值）：2.8mA
电流 - 输出（最大值）：20mA
输出类型：开路漏极
特性：温度补偿
工作温度：-40°C ~ 150°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：SOT-23-3
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

产品特性

适用于汽车应用
具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：器件温度等级 0：–40°C 至 150°C 的环境工作温度范围器件 HBM ESD 分类等级 H3A器件 CDM ESD 分类等级 C6
器件温度等级 0：–40°C 至 150°C 的环境工作温度范围
器件 HBM ESD 分类等级 H3A
器件 CDM ESD 分类等级 C6
数字锁存器霍尔效应传感器
高磁性灵敏度：DRV5015A1-Q1：±0.7mT（典型值）DRV5015A2-Q1：±1.8mT（典型值）DRV5015A3-Q1：±1.8mT（反相，典型值）
DRV5015A1-Q1：±0.7mT（典型值）
DRV5015A2-Q1：±1.8mT（典型值）
DRV5015A3-Q1：±1.8mT（反相，典型值）
集成迟滞
30kHz 高速感应带宽
2.5V 至 5.5V 工作 VCC 范围
开漏输出，输出电流高达 20mA

产品概述

DRV5015-Q1 是一款低电压数字锁存器霍尔效应传感器，专为高速和高温电机应用。该器件由 2.5V 至 5.5V 的电源供电，可以检测磁通量密度并根据预定义的磁性阈值显示数字输出。必须交换北极和南极磁极才能切换输出，集成的磁滞能够提供稳定可靠的切换。该器件具有两个磁性阈值选项和一个反相输出选项。高磁性灵敏度可提供低成本磁体选择和组件放置灵活性。该器件在 –40°C 至 +150°C 的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。

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DRV5015A3EDBZRQ1 电路图

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