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更新日期：2024-04-01
产品简介：低功耗（低至 3.3μA）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器
查看详情DRV5012AEDMRR 供应商
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TI
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原厂原装
22+ -
3288
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上海市
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一级代理原装
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TI(德州仪器)
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X2SON-4(1.1x1.4)
2022+ -
12000
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上海市
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原装可开发票
DRV5012AEDMRR 中文资料属性参数
- 现有数量：2,784现货9,000Factory
- 价格：1 : ￥4.69000剪切带（CT）3,000 : ￥1.75772卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 功能：卡销
- 技术：霍尔效应
- 极化：北极，南极
- 感应范围：3.3mT 跳闸，-3.3mT 释放
- 测试条件：-40°C ~ 85°C
- 电压 - 供电：1.65V ~ 5.5V
- 电流 - 供电（最大值）：5mA
- 电流 - 输出（最大值）：5mA
- 输出类型：推挽式
- 特性：温度补偿
- 工作温度：-40°C ~ 85°C
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：4-X2SON（1.1x1.4）
- 封装/外壳：4-XFDFN 裸露焊盘
产品特性
- 行业领先的低功耗特性
- 可通过引脚选择的采样率： SEL = 低电平：使用 1.3µA (1.8V) 时为 20HzSEL = 高电平：使用 142µA (1.8V) 时为 2.5kHz
- SEL = 低电平：使用 1.3µA (1.8V) 时为 20Hz
- SEL = 高电平：使用 142µA (1.8V) 时为 2.5kHz
- VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V
- 高磁性灵敏度：±2mT（典型值）
- 可靠磁滞：4mT（典型值）
- 推挽式 CMOS 输出
- 小型纤薄 X2SON 封装
- 运行温度范围：–40°C 至 +85°C
产品概述
DRV5012 器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。
™当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时，该器件会驱动低电压。输出会保持低电平，直到应用北极并且超出 BRP 阈值，这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出，且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。通过使用内部振荡器，DRV5012 器件对磁场进行采样，并根据 SEL 引脚以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。此器件通过 1.65V 至 5.5V 的 VCC 工作，并采用小型 X2SON 封装。
DRV5012AEDMRR 电路图
DRV5012AEDMRR 电路图
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