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UMH2N-TP
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.0624-$0.0864
更新日期：2024-04-01 00:04:00
UMH2N-TP
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式产品简介：TRANS ARRAY W/RES
- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.0624-$0.0864
UMH2N-TP 中文资料属性参数
- 产品培训模块：Diode Handling and Mounting
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 系列：-
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：47k
- 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：68 @ 5mA，5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
- 频率 - 转换：250MHz
- 功率 - 最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：UMH2N-TPMSTR
UMH2N-TP 数据手册
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