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IMH21T110

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 封装：SC-74，SOT-457
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.16585

更新日期：2024-04-01

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IMH21T110

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

产品简介：TRANS DIGITAL NPN 20V 600MA SMT6

  • 封装：SC-74，SOT-457
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.16585

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IMH21T110 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：20V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：820 @ 50mA，5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 2.5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 频率 - 转换：150MHz
  • 功率 - 最大：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-74，SOT-457
  • 供应商设备封装：SMT6
  • 包装：带卷 (TR)

IMH21T110 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IMH21T110

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6

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