您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

UMH11NTN

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.0612-$0.0864

更新日期：2024-04-01

UMH11NTN

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

产品简介：TRANS DUAL NPN 50V 50MA SOT-363

  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.0612-$0.0864

UMH11NTN 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

UMH11NTN 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 5mA，5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
  • 频率 - 转换：250MHz
  • 功率 - 最大：150mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：UMT6
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：UMH11NTNTR

UMH11NTN 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
UMH11NTN

TRANSISTOR DUAL UM6 NPN/NPN; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:30; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Package / Case:SOT-363; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose; Current Ic Continuous a Max:100mA; Hfe Min:30; Power Dissipation Pd:150mW

3页,73K 查看

UMH11NTN 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9