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UCC27712DR

Texas Instruments 栅极驱动器

更新日期：2024-04-01

UCC27712DR

Texas Instruments 栅极驱动器

产品简介：支持互锁功能的 1.8A/2.8A、620V 半桥驱动器

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UCC27712DR 供应商

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UCC27712DR 中文资料属性参数

  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：1 : ￥12.64000剪切带（CT）2,500 : ￥6.43942卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • Digi-Key Programmable：Not Verified
  • 驱动配置：半桥
  • 通道类型：独立式
  • 驱动器数：2
  • 栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电：10V ~ 20V
  • 逻辑电压?- VIL，VIH：1.5V，1.6V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：1.8A，2.8A
  • 输入类型：-
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）：600 V
  • 上升/下降时间（典型值）：16ns，10ns
  • 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SOIC

产品特性

  • 高侧和低侧配置
  • 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间
  • 在高达 620V 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700V
  • VDD 建议范围为 10V 至 20V
  • 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流
  • 50V/ns 的 dv/dt 抗扰度
  • HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11V
  • 输入负电压容差为 –5V
  • 大型负瞬态安全工作区
  • 为两个通道提供 UVLO 保护
  • 短传播延迟（典型值 100ns）
  • 延迟匹配（典型值 12ns）
  • 设计用于自举操作的悬空通道
  • 低静态电流
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 行业标准 SOIC-8 封装
  • 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C

产品概述

UCC27712 是一款 620V 高侧和低侧栅极驱动器，具有 1.8A 拉电流、2.8A 灌电流能力，专用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT。 对于 IGBT，建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V，对于功率 MOSFET，建议的 VDD 工作电压为 10V 至 17V。UCC27712 包含保护 功能， 在此情况下，当输入保持开路状态时，或当未满足最低输入脉宽规范时，输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外，该器件可接受宽泛的偏置电源范围并且为 VDD 和 HB 偏置电源提供了 UVLO 保护。该器件采用 TI 先进的高压器件技术， 具有 强大的驱动器，拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度，包括较大的输入负电压容差、高 dV/dt 容差、开关节点上较宽的负瞬态安全工作区 (NTSOA)，以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO)，后者专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件 具有 快速传播延迟和两个通道之间卓越的延迟匹配。在 UCC27712 上，每个通道均由其各自的输入引脚 HI 和 LI 控制。
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UCC27712DR 电路图

UCC27712DR 电路图

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