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更新日期:2024-04-01

产品简介:耐辐射 QMLV、3V 至 6.3V 输入、6A 同步降压转换器

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5962-1022101VSC 供应商

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5962-1022101VSC 中文资料属性参数

  • 现有数量:0现货10,001Factory
  • 价格:在售
  • 系列:*
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 功能:-
  • 输出配置:-
  • 拓扑:-
  • 输出类型:-
  • 输出数:-
  • 电压 - 输入(最小值):-
  • 电压 - 输入(最大值):-
  • 电压 - 输出(最小值/固定):-
  • 电压 - 输出(最大值):-
  • 电流 - 输出:-
  • 频率 - 开关:-
  • 同步整流器:-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-

产品特性

  • 5962R10221:抗辐射加固保障 (RHA) 高达 100kRAD (Si) 总电离剂量 (TID) 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS) 100 kRAD (Si) – 10mRAD(Si)/s 单粒子锁定 (SEL) 对于 线性能量传输 (LET) 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg(请参见) 单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 的抗扰度为 85MeV-cm2/mg,提供安全运行区域 (SOA) 曲线(请参见) 提供单粒子瞬变/单粒子功能中断 (SET/SEFI) 横截面图(请参见)
  • 抗辐射加固保障 (RHA) 高达 100kRAD (Si) 总电离剂量 (TID)
  • 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS) 100 kRAD (Si) – 10mRAD(Si)/s
  • 单粒子锁定 (SEL) 对于 线性能量传输 (LET) 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg(请参见)
  • 单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 的抗扰度为 85MeV-cm2/mg,提供安全运行区域 (SOA) 曲线(请参见)
  • 提供单粒子瞬变/单粒子功能中断 (SET/SEFI) 横截面图(请参见)
  • 峰值效率:95% (VO = 3.3V)
  • 集成了 55mΩ/50mΩ 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 分离电源轨:PVIN 上的电压为 1.6V 至 6.3V
  • 电源轨:VIN 上的电压为 3V 至 6.3V
  • 6A 最大输出电流
  • 灵活的开关频率选项:100kHz 至 1MHz 可调内部振荡器 外部同步功能的频率范围:100kHz 至 1MHz 可针对主/从设备将同步引脚配置为 500kHz 输出 应用
  • 100kHz 至 1MHz 可调内部振荡器
  • 外部同步功能的频率范围:100kHz 至 1MHz
  • 可针对主/从设备将同步引脚配置为 500kHz 输出 应用
  • 25°C 下的电压基准为 0.795V±1.258%
  • 单调启动至预偏置输出
  • 通过外部电容进行调节的软启动
  • 用于电源排序的输入使能和电源正常输出
  • 针对欠压及过压的电源良好输出监控
  • 可调节输入欠压锁定 (UVLO)
  • 20 引脚耐热增强型陶瓷扁平封装 (HKH)
  • 请访问 www.ti.com/swift 获取 SWIFT文档
  • 请参见工具和软件 (Tools & Software) 选项卡
  • 用于现场可编程门阵列 (FPGA)、微控制器和专用集成电路 (ASIC) 的太空卫星负载点电源
  • 太空卫星有效载荷
  • 抗辐射 应用
  • 可用于军用温度范围(-55°C 至 125°C)
  • 提供工程评估 (/EM) 样品 (1)

产品概述

TPS50601-SP 是一款抗辐射加固型 6.3V、6A 同步降压转换器。该器件通过高效率以及集成高侧和低侧 MOSFET 的方式针对小型设计进行了优化。通过电流模式控制减少组件数量,并通过高开关频率缩小电感器封装尺寸,来进一步节省空间。此器件提供耐热增强型 20 引脚陶瓷,双列直插扁平封装。输出电压启动斜坡由 SS/TR 引脚控制,可实现独立电源运行,或者跟踪状态下的运行。此外,正确配置启用与开漏电源正常引脚也可实现电源排序。 高侧 FET 的逐周期电流限制可在过载情况下保护器件,并通过低侧电源限流防止电流失控,从而实现功能增强。此外,还提供可关闭低侧 MOSFET 的低侧吸收电流限值,以防止过多的反向电流。当芯片温度超过热关断温度时,热关断禁用此部件。

5962-1022101VSC 电路图

5962-1022101VSC 电路图

5962-1022101VSC 电路图

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