UCC27519AQDBVRQ1

UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 单通道高速低侧栅极驱动器器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 开关。 借助于固有的大大减少击穿电流的设计，UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 能够灌、拉高峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为 17ns）。 UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 在 VDD = 12V 时提供 4A 拉电流和 4A 灌电流（对称驱动）峰值驱动电流功能。 UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 在 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围以及 -40°C 到 140°C 的宽温度范围内运行。 VDD 引脚上的内部欠压闭锁 (UVLO) 电路保持 VDD 运行范围之外的输出低电平。 能够运行在诸如低于 5V 的低电压电平上，连同同类产品中最佳的开关特性，使得此器件非常适合于驱动诸如 GaN 功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27519A-Q1 可按需提供（只用于预览）。UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 的输入引脚阀值基于 CMOS 逻辑电路，此逻辑电路的阀值电压是 VDD 电源电压的函数。 通常情况下，输入高阀值 (VIN-H) 是 VDD 的 55%，而输入低阀值 (VIN-L) 是 VDD 的 39%。 高阀值和低阀值之间的宽滞后（通常为 VDD 的 16%）提供了出色的抗扰性并使用户能够通过在输入脉宽调制 (PWM) 信号和器件的 INx 引脚间使用 RC 电路来引入延迟。UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 在 EN 引脚上还特有一个可悬空使能功能。 EN 引脚可以保持在一个不连接的状态，这样可以分别实现 UCC27518A-Q1，UCC27519A-Q1 和 TPS2828，TPS2829 器件间的引脚兼容性。 使能引脚阀值是一个固定电压阀值并且不会随着 VDD偏置电压的改变而变化。 通常情况下，使能高阀值 (VEN-H) 为 2.1V，而使能低阀值 (VEN-L) 是 1.25V。