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更新日期:2024-04-01

产品简介:具有 5V UVLO、互锁和使能功能的 3A、120V 半桥栅极驱动器

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UCC27282DRCT 供应商

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UCC27282DRCT 中文资料属性参数

  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥13.51000剪切带(CT)250 : ¥9.17420卷带(TR)
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
  • Digi-Key Programmable:Not Verified
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电:5.5V ~ 16V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH:0.9V,2.4V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.5A,3.5A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):120 V
  • 上升/下降时间(典型值):12ns,10ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:10-VSON(3x3)

产品特性

  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 5V 典型欠压锁定
  • 输入互锁
  • 在 DRC 封装中启用/禁用功能
  • 16ns 典型传播延迟
  • 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns,下降时间为 10ns
  • 1ns 典型延迟匹配
  • 输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5 V)
  • HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (–14 V)
  • ±3A 峰值输出电流
  • 绝对最大启动电压为 120V
  • 禁用时消耗的电流很低 (7µA)
  • 集成式自举二极管
  • 额定结温范围为 –40°C 至 140°C

产品概述

UCC27282 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器,最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,UCC27282 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关,因此 UCC27282 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压,因此提高了系统稳健性。输入互锁进一步提高了高噪声应用中的稳健性和系统可靠性。启用和禁用功能通过降低驱动器的功耗并响应系统内的故障事件,提供额外的系统灵活性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作,这在许多高频应用中是必需的,并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求,从而进一步提高效率。高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能,因此可在 VDD 电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。在许多应用中,集成自举二极管无需使用外部分立式二极管,节省布板空间和降低系统成本。UCC27282 采用小型封装,因此可支持高密度设计。

UCC27282DRCT 电路图

UCC27282DRCT 电路图

UCC27282DRCT 电路图

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