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UCC27201AQDDARQ1

Texas Instruments 栅极驱动器

更新日期：2024-04-01

UCC27201AQDDARQ1

Texas Instruments 栅极驱动器

产品简介：具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器

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UCC27201AQDDARQ1 供应商

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UCC27201AQDDARQ1 中文资料属性参数

  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：1 : ￥22.10000剪切带（CT）2,500 : ￥11.25706卷带（TR）
  • 系列：Automotive, AEC-Q100
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • Digi-Key Programmable：Not Verified
  • 驱动配置：半桥
  • 通道类型：独立式
  • 驱动器数：2
  • 栅极类型：N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电：8V ~ 17V
  • 逻辑电压?- VIL，VIH：0.8V，2.5V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：3A，3A
  • 输入类型：非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）：120 V
  • 上升/下降时间（典型值）：8ns，7ns
  • 工作温度：-40°C ~ 140°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SO-PowerPad

产品特性

  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 的下列结果： 器件温度等级 1：-40°C 至 140°C 的环境运行温度范围 器件人体模型 (HBM) 分类等级 1C 器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C3
  • 器件温度等级 1：-40°C 至 140°C 的环境运行温度范围
  • 器件人体模型 (HBM) 分类等级 1C
  • 器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C3
  • HS 引脚具备 -18V 的负电压处理能力
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 最大启动电压：120V
  • 最大 VDD 电压：20V
  • 片载0.65V VF， 0.6Ω RD 自举二极管
  • 工作频率高于 1MHz
  • 20ns 传播延迟时间
  • 3A 吸收，3A 供电输出电流
  • 8ns 上升时间和 7ns 下降时间（采用 1000pF 负载时）
  • 1ns 延迟匹配
  • 用于高端和低端驱动器的欠压闭锁功能
  • 采用 8 引脚 PowerPad 小尺寸集成电路 (SOIC)-8 (DDA) 封装
  • 辅助反相器
  • 功率传输电路的 DC-DC 转换器
  • 开关模式电源
  • 电机控制
  • 半桥式应用和全桥式转换器
  • 两开关正激式转换器
  • 有源箝位正激式转换器
  • 高电压同步降压型转换器
  • D 类音频放大器

产品概述

UCC27201A-Q1 高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。 这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源箝位正激式转换器中提供N沟道 MOSFET 控制。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至 1ns 的匹配。 UCC27201A-Q1 基于常见的 UCC27200 和 UCC27201 驱动器，但提供了一些增强功能。 UCC27201A-Q1 的 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压，这使得其在电源噪声环境下的性能得到了改善。 由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。 为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能，如果驱动电压低于规定的门限，则强制输出为低电平。 UCC27201A-Q1 具有 TTL 兼容阈值，并且采用带有散热焊盘的 8 引脚 SOIC 封装。
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UCC27201AQDDARQ1 电路图

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