UCC24612-2DBVT

UCC24612 是用于标准和逻辑电平 N 沟道 MOSFET 功率器件的高性能同步整流器控制器和驱动器。通过实施接近理想的二极管仿真，UCC24612 可减少输出整流器的损耗，并间接减少初级侧损耗。漏极到源极 (VDS) 传感控制方案允许 UCC24612 使用多个拓扑结构，例如有源钳位反激式、QR/DCM/CCM 反激式和 LLC 等。集成 特性 可简化设计工作，使 UCC24612 在各种频率下都 应用中 ，并表现卓越。较宽的 VDD 和 VD 工作电压范围便于在输出电压高达 28V 的系统中轻松实施。通过自适应最短关闭时间可提高效率和抗噪能力。变体器件 UCC24612-1 和 UCC24612-2 具有不同的最短导通时间，以提高抗噪能力。通过比例栅极驱动器和连续导通模式 (CCM) 循环极限预关闭进一步增强了 CCM 模式下的稳健运行能力。 UCC24612 具有多个可提高效率的 特性 。具有较短传播延迟的快速比较器可减少开关损耗。9.5V 栅极驱动器钳位可降低 MOSFET 驱动损耗。频率相关待机模式可进一步降低待机功耗。这些 特性 可帮助 UCC24612 成为符合诸如美国能源部 (DoE) 第 VI 级和行为规范 (CoC) 第 2 级等严格效率标准的更大系统的一部分。UCC24612 采用 SOT23-5 封装。