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UCC21710QDWRQ1

Texas Instruments 隔离器 - 栅极驱动器

更新日期：2024-04-01

UCC21710QDWRQ1

Texas Instruments 隔离器 - 栅极驱动器

产品简介：适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有过流保护的汽车类 5.7kVrms 10A 单通道隔离式栅极驱动器

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UCC21710QDWRQ1 供应商

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UCC21710QDWRQ1 中文资料属性参数

  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：2,000 : ￥33.50884卷带（TR）
  • 系列：Automotive, AEC-Q100
  • 包装：卷带（TR）
  • 产品状态：在售
  • 技术：容性耦合
  • 通道数：1
  • 电压 - 隔离：5700Vrms
  • 共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns
  • 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：130ns，130ns
  • 脉宽失真（最大）：30ns
  • 上升/下降时间（典型值）：33ns，27ns
  • 电流 - 输出高、低：10A，10A
  • 电流 - 峰值输出：10A
  • 电压 - 正向 (Vf)（典型值）：-
  • 电流 - DC 正向 (If)（最大值）：-
  • 电压 -?输出供电：13V ~ 33V
  • 工作温度：-40°C ~ 125°C
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
  • 供应商器件封装：16-SOIC
  • 认证机构：UL，VDE

产品特性

  • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准 器件温度等级 0：-40°C 至 +150°C 环境工作温度范围 器件 HBM ESD 分类等级 3A 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 器件温度等级 0：-40°C 至 +150°C 环境工作温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 高达 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 270ns 快速响应时间的过流保护
  • 4A 内部有源米勒钳位
  • 发生故障时的 400mA 软关断
  • 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应 高电压直流链路或相电压
  • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
  • 高电压直流链路或相电压
  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
  • 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围：-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证： 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘 UL 1577 组件认证计划
  • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
  • UL 1577 组件认证计划

产品概述

UCC21710-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 UCC21710-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过 SiO 2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12.8kV PK 的浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏斜 ，共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。UCC21710 -Q1 具有高级保护功能，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性）。可以使用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地检测温度或电压，从而进一步提高驱动器的多功能性并消减系统设计工作量、尺寸和成本。
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UCC21710QDWRQ1 电路图

UCC21710QDWRQ1 电路图

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