更新日期:2024-04-01
产品简介:具有用于 IGBT/SiC 的 EN 和 DT 引脚的汽车类 4A/6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器
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UCC21530QDWKQ1 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:1 : ¥51.99000管件
- 系列:Automotive, AEC-Q100
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- Digi-Key Programmable:Not Verified
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:3V ~ 18V
- 逻辑电压?- VIL,VIH:1.2V,1.6V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,6A
- 输入类型:CMOS/TTL
- 高压侧电压 - 最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):6ns,7ns
- 工作温度:-40°C ~ 130°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:14-SOIC
产品特性
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性: 器件温度 1 级 器件 HBM ESD 分类等级 H2 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 器件温度 1 级
- 器件 HBM ESD 分类等级 H2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 功能安全质量管理型 有助于进行功能安全系统设计的文档
- 有助于进行功能安全系统设计的文档
- 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
- 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
- 驱动器通道之间的间距为 3.3mm
- 开关参数: 19ns 典型传播延迟 10ns 最小脉冲宽度 5ns 最大延迟匹配 6ns 最大脉宽失真
- 19ns 典型传播延迟
- 10ns 最小脉冲宽度
- 5ns 最大延迟匹配
- 6ns 最大脉宽失真
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
- 隔离层寿命 > 40 年
- 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 3V 至 18V 输入 VCCI 范围
- 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源 8V 和 12V VDD UVLO 选项
- 8V 和 12V VDD UVLO 选项
- 可编程的重叠和死区时间
- 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
- 工作温度范围:–40°C 至 +125°C
- 安全相关认证: 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 隔离 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证 符合 GB4943.1-2011标准 的 CQC 认证
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 隔离
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
- 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
- 符合 GB4943.1-2011标准 的 CQC 认证
产品概述
UCC21530 -Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器被设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET,具有出色的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。
UCC21530QDWKQ1 电路图

UCC21530QDWKQ1 电路图
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