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更新日期:2024-04-01

产品简介:适用于 IGBT/SiC FET 且具有 EN 和 DT 引脚、采用 DWK 封装的 5.7kVrms、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

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UCC21530DWK 供应商

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UCC21530DWK 中文资料属性参数

  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥50.40000管件
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • Digi-Key Programmable:Not Verified
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电:3V ~ 18V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH:1.2V,1.6V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,6A
  • 输入类型:CMOS/TTL
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):-
  • 上升/下降时间(典型值):6ns,7ns
  • 工作温度:-40°C ~ 130°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:14-SOIC

产品特性

  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
  • 驱动器通道之间的间距为 3.3mm
  • 开关参数: 19ns 典型传播延迟 10ns 最小脉冲宽度 5ns 最大延迟匹配 6ns 最大脉宽失真
  • 19ns 典型传播延迟
  • 10ns 最小脉冲宽度
  • 5ns 最大延迟匹配
  • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 隔离层寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 工作温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 安全相关认证: 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 隔离 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
  • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 隔离
  • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
  • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
  • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证

产品概述

UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET,具有出色的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

UCC21530DWK 电路图

UCC21530DWK 电路图

UCC21530DWK 电路图

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