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UCC21222QDRQ1

Texas Instruments 栅极驱动器

更新日期：2024-04-01

UCC21222QDRQ1

Texas Instruments 栅极驱动器

产品简介：具有禁用可编程死区时间和 8V UVLO 的汽车类 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

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UCC21222QDRQ1 供应商

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UCC21222QDRQ1 中文资料属性参数

  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：1 : ￥34.42000剪切带（CT）2,500 : ￥19.49714卷带（TR）
  • 系列：Automotive, AEC-Q100
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • Digi-Key Programmable：Not Verified
  • 驱动配置：半桥
  • 通道类型：独立式
  • 驱动器数：2
  • 栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电：3V ~ 5.5V
  • 逻辑电压?- VIL，VIH：1.25V，1.6V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：4A，6A
  • 输入类型：CMOS/TTL
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）：-
  • 上升/下降时间（典型值）：5ns，6ns
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：16-SOIC

产品特性

  • 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级 器件 HBM ESD 分类等级 H2 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 器件温度 1 级
  • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 结温范围：–40°C 至 150°C
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源 8V VDD UVLO
  • 8V VDD UVLO
  • 开关参数： 33ns 典型传播延迟 5ns 最大脉宽失真 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 33ns 典型传播延迟
  • 5ns 最大脉宽失真
  • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 可针对电源时序快速禁用

产品概述

UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。输入侧通过一个 3.0kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。可通过电阻器进行编程的死区时间帮助您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。
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UCC21222QDRQ1 电路图

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