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UCC21220DR

Texas Instruments 隔离器 - 栅极驱动器

更新日期：2024-04-01

UCC21220DR

Texas Instruments 隔离器 - 栅极驱动器

产品简介：适用于 MOSFET 和 GaNFET 的具有禁用引脚和 8V UVLO 的 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

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UCC21220DR 供应商

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UCC21220DR 中文资料属性参数

  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：1 : ￥27.75000剪切带（CT）2,500 : ￥15.70503卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • 技术：容性耦合
  • 通道数：2
  • 电压 - 隔离：3000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns
  • 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：40ns，40ns
  • 脉宽失真（最大）：5.5ns
  • 上升/下降时间（典型值）：5ns，6ns
  • 电流 - 输出高、低：4A，6A
  • 电流 - 峰值输出：-
  • 电压 - 正向 (Vf)（典型值）：-
  • 电流 - DC 正向 (If)（最大值）：-
  • 电压 -?输出供电：9.2V ~ 18V
  • 工作温度：-40°C ~ 125°C
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：16-SOIC
  • 认证机构：-

产品特性

  • 支持基本隔离和功能隔离
  • CMTI 大于 100V/ns
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 开关参数： 40ns 最大传播延迟 5ns 最大延迟匹配 5.5ns 最大脉宽失真 35µs 最大 VDD 上电延迟
  • 40ns 最大传播延迟
  • 5ns 最大延迟匹配
  • 5.5ns 最大脉宽失真
  • 35µs 最大 VDD 上电延迟
  • 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 工作温度范围 (TA) = –40°C 至 125°C
  • 窄体 SOIC-16 (D) 封装
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 安全相关认证： 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离（计划） 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证（计划）
  • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离（计划）
  • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
  • 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证（计划）

产品概述

UCC21220 和 UCC21220A 器件是具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在 PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率 MOSFET 和 GaNFET，借助超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)，可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联，以形成单个驱动器，由于具有一流的延迟匹配性能，因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。保护特性包括以下几项：DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出；INA/B 引脚可抑制短于 5ns 的输入瞬态；输入和输出可以承受 –2V 的尖峰达 200ns，所有电源都具有欠压锁定 (UVLO) 功能，有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在 2.1V 以下。凭借这些特性，这些器件可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
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UCC21220DR 电路图

UCC21220DR 电路图

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