- 封装:12-UFQFN
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:Digi-Reel®
更新日期:2024-04-01
产品简介:具有电平转换器的 SIM 卡电源
查看详情- 封装:12-UFQFN
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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TXS4555RUTR 供应商
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TXS4555RUTR 中文资料属性参数
- 特色产品:TXS4555 SIM Card Solution
- 标准包装:1
- 类别:集成电路 (IC)
- 家庭:逻辑 - 变换器
- 系列:-
- 逻辑功能:电平移位器
- 位数:1
- 输入类型:电压
- 输出类型:电压
- 数据速率:-
- 通道数:1
- 输出/通道数目:1
- 差分 - 输入:输出:无/无
- 传输延迟(最大):-
- 电源电压:1.65 V ~ 3.3 V,2.3 V ~ 5.5 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:12-UFQFN
- 供应商设备封装:12-UQFN(2.0x1.7)
- 包装:®
- 其它名称:296-28451-6
产品特性
- 电平转换器1.65V 至 3.3V 的 VCC范围 2.3 至 5.5V 的 VBATT范围
- 1.65V 至 3.3V 的 VCC范围
- 2.3 至 5.5V 的 VBATT范围
- 低压降 (LDO) 稳压器带有使能的 50mA LDO 稳压器 1.8V 至 2.95V 可选输出电压 2.3V 至 5.5V 输入电压范围 极低压降:电流为 50mA 时为 100mV(最大值)
- 带有使能的 50mA LDO 稳压器
- 1.8V 至 2.95V 可选输出电压
- 2.3V 至 5.5V 输入电压范围
- 极低压降:电流为 50mA 时为 100mV(最大值)
- 为 SIM 卡信号整合了关断特性,符合 ISO-7816-3 标准
- 静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范要求2000V 人体模型 (A114-A) 500V 充电器件模型 (C101) 针对 SIM 引脚的 8kV
- 2000V 人体模型 (A114-A)
- 500V 充电器件模型 (C101)
- 针对 SIM 引脚的 8kV
- 封装16 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (3mm x 3mm) 12 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (2mm x 1.7mm)
- 16 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (3mm x 3mm)
- 12 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (2mm x 1.7mm)
产品概述
TXS4555 是一款完整的智能身份模块 (SIM) 卡解决方案,可用来将无线基带处理器与 SIM 卡对接,从而可为移动手持终端应用存储 I/O 数据。 该器件不但符合
ISO/IEC 智能卡接口要求,而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包含能够支持 B 类 (2.95V) 与 C 类 (1.8V) 接口的高速电平转换器,一个低压降 (LDO)
稳压器,此稳压器具有可在 2.95V B 类与 1.8V C 类接口之间选择的输出电压。请注意:裸露的中心散热焊盘必须连接至接地。该器件具有两组电源电压引脚。 VCC 支持 1.65V 至 3.3V 的整个电压范围,而 VBATT则支持
2.3 至 5.5V 间的电压。VPWR 可设置为 1.8V 或 2.95V,并由内部 LDO 供电。 集成型 LDO 可接受高达 5.5V 的输入电压,并可在 50mA 电流下向 B
端电路系统及外部 SIM 卡输出 1.8V 或 2.95V 的电压。 TXS4555 可帮助系统设计人员轻松将低电压微处理器连接至工作电压为 1.8V 或 2.95V 的 SIM 卡。此外,TXS4555 还根据针对 SIM 卡的 ISO 7816-3 技术规范为 SIM 卡引脚整合了关断定序功能。 SIM 卡信号的适当关断可在电话意外关机时保护数据免受损坏。
该器件不但可为 SIM 引脚提供 8kV HBM 保护,而且还可为所有其它引脚提供标准 2kV HBM 保护。
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