更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:具有反向电流保护和使能功能的 1A、高精度、超低压降稳压器
查看详情TPS7A3701DRVT 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
TI
-
原厂原装
22+ -
3288
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
TI(德州仪器)
-
WSON-6
2022+ -
12000
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
-
TI
-
-
21+/22+ -
1000
-
上海市
-
-
TPS7A3701DRVT 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:1 : ¥17.97000剪切带(CT)250 : ¥12.19516卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- 输出配置:正
- 输出类型:可调式
- 稳压器数:1
- 电压 - 输入(最大值):5.5V
- 电压 - 输出(最小值/固定):1.2V
- 电压 - 输出(最大值):5.37V
- 电压降(最大值):0.2V @ 1A
- 电流 - 输出:1A
- 电流 - 静态 (Iq):400 μA
- 电流 - 供电(最大值):1.3 mA
- PSRR:58dB ~ 37dB(100Hz ~ 10kHz)
- 控制特性:使能
- 保护功能:过流,超温,反极性,欠压锁定(UVLO)
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:6-WSON(2x2)
产品特性
- 与 1µF 或更大的陶瓷输出电容搭配工作时保持稳定
- 输入电压范围:2.2V 至 5.5V
- 超低压降电压: 1A 时的最大电压为 200mV
- 1A 时的最大电压为 200mV
- 出色的负载瞬态响应 - 即使与仅为 1μF 的输出电容搭配使用也依旧出色
- NMOS 拓扑结构可提供低反向泄漏电流
- 出色的精度:0.23% 标称准确度 整个线路、负载和温度范围内的总精度为 1%
- 0.23% 标称准确度
- 整个线路、负载和温度范围内的总精度为 1%
- 关断模式下的 IQ 典型值小于 20nA
- 用于故障保护的热关断和电流限制
- 针对数字信号处理器 (DSP),现场可编程栅极阵列 (FPGA),特定用途集成电路 (ASIC) 和微处理器的负载点调节
- 针对开关电源的后置调节
- 便携式和电池供电类设备
产品概述
TPS7A37 系列线性低压降 (LDO) 稳压器在一个电压随耦器配置中使用一个 N 沟道金属氧化物半导体 (NMOS) 导通元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低,从而实现多种负载配置。负载瞬态响应出色,即使与 1μF 小型陶瓷输出电容搭配工作时也是如此。NMOS 拓扑结构也可实现极低压降。TPS7A37 系列使用一个先进的双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺,可在传送极低压降电压和低接地引脚电流的同时产生高精度。未使能状态下的电流消耗小于 20nA,非常适合便携式 应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。
TPS7A3701DRVT 电路图
TPS7A3701DRVT 电路图
TPS7A3701DRVT 相关产品
- 2SD300C17A1
- 2SP0115T2A0-12
- 5962-1022101VSC
- 5962-8686102XA
- 5962-8688202XA
- 5962-89728022A
- 5962-89805012A
- 5962-8982402PA
- 5962-9322201MEA
- 7604501EA
- 85514012A
- 8551401PA
- 905X0205100
- 90E23PYGI8
- 90E24PYGI8
- 90E36ERGI
- A4910KJPTR-T
- A4915METTR-T
- A4930GETTR-T
- A4990KLPTR-T
- A5974AD
- A5974D
- A5975D
- A8304SESTR-T
- AAT2153IVN-0.6-T1
- AAT2823IBK-1-T1
- AAT4684ITP-T1
- AD536ASD/883B
- AD536ASH/883B
- AD580SH/883B

搜索
发布采购