更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:用于 Xilinx MPSoC 和 FPGA 的可配置多轨 PMIC
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VQFN-64
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原装可开发票
TPS65086470RSKT 中文资料属性参数
- 现有数量:240现货
- 价格:1 : ¥86.81000剪切带(CT)250 : ¥62.01940卷带(TR)
- 系列:D-CAP2?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- 应用:控制器/转换器,数码相机
- 电压 - 输入:5.6V ~ 21V
- 输出数:9
- 电压 - 输出:多重
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:64-VQFN(8x8)
产品特性
- 5.6V 至 21V 的宽 VIN 范围
- 三个采用 D-CAP2™ 拓扑的 可变输出电压同步降压控制器 使用外部 FET 的可扩展输出电流,支持可选电流限制 在 0.41V 至 1.67V 之间以 10mV 为步长或 在 1V 至 3.575V 之间以 25mV 为步长的 I2C DVS 控制
- 使用外部 FET 的可扩展输出电流,支持可选电流限制
- 在 0.41V 至 1.67V 之间以 10mV 为步长或 在 1V 至 3.575V 之间以 25mV 为步长的 I2C DVS 控制
- 三个采用 DCS-Control 拓扑的可变输出电压同步降压转换器 输入电压范围为 3V 至 5.5 V 输出电流高达 3A 在 0.41V 至 1.67V 之间以 10mV 为步长或 在 0.425V 至 3.575V 之间以 25mV 为步长的 I2C DVS 控制
- 输入电压范围为 3V 至 5.5 V
- 输出电流高达 3A
- 在 0.41V 至 1.67V 之间以 10mV 为步长或 在 0.425V 至 3.575V 之间以 25mV 为步长的 I2C DVS 控制
- 三个具有可调节输出电压的 LDO 稳压器 LDOA1:I2C 可选电压的范围为 1.35V 至 3.3V,输出电流可高达 200mA LDOA2 和 LDOA3:I2C 可选电压的范围为 0.7V 至 1.5V,每个的输出电流可高达 600mA
- LDOA1:I2C 可选电压的范围为 1.35V 至 3.3V,输出电流可高达 200mA
- LDOA2 和 LDOA3:I2C 可选电压的范围为 0.7V 至 1.5V,每个的输出电流可高达 600mA
- 用于 DDR 存储器终端的 VTT LDO
- 三个具有压摆率控制功能的负载开关 输出电流高达 300mA,压降小于标称输入电压的 1.5% 输入电压为 1.8V 时,RDSON < 96mΩ
- 输出电流高达 300mA,压降小于标称输入电压的 1.5%
- 输入电压为 1.8V 时,RDSON < 96mΩ
- 5V 固定输出电压 LDO (LDO5) 用于 SMPS 的栅极驱动器和 LDOA1 的电源 可自动切换至外部 5V 降压以实现更高效率
- 用于 SMPS 的栅极驱动器和 LDOA1 的电源
- 可自动切换至外部 5V 降压以实现更高效率
- 内置可通过 工厂 OTP 编程功能实现的灵活性和可配置性 六个 GPI 引脚均可配置为启用(CTL1 至 CTL6)任意所选电压轨或使其进入睡眠模式(CTL3 和 CTL6) 四个 GPO 引脚均可配置为指示任意所选轨道的电源正常 漏极开路中断输出引脚
- 六个 GPI 引脚均可配置为启用(CTL1 至 CTL6)任意所选电压轨或使其进入睡眠模式(CTL3 和 CTL6)
- 四个 GPO 引脚均可配置为指示任意所选轨道的电源正常
- 漏极开路中断输出引脚
- I2C 接口支持标准模式 (100kHz)、快速模式 (400kHz) 和超快速模式 (1MHz)
产品概述
TPS650864 器件系列是一款单芯片电源管理 IC (PMIC),专为 Xilinx Zynq 多处理器片上系统 (MPSoC) 和现场可编程门阵列 (FPGA) 系列而设计。TPS650864 器件的输入电压范围为 5.6V 至 21V,支持广泛的应用(请参阅器件比较表)。该器件适用于壁式供电应用或 2、3、4 节串联锂离子电池包(NVDC 或非 NVDC 电源架构)。有关 5V 输入电源的信息,请参阅典型应用 部分。D-CAP2 和 DCS-Control 高频稳压器采用小型无源器件,用于减小解决方案尺寸。D-CAP2 和 DCS-Control 拓扑具有出色的瞬态响应性能,非常适用于具有快速负载开关的处理器内核和系统内存电压轨。I2C 接口可通过嵌入式控制器 (EC) 或 SoC 进行轻松控制。PMIC 的尺寸为 8mm × 8mm,采用单行 VQFN 封装,所带的散热垫可改善散热功能。
TPS65086470RSKT 电路图

TPS65086470RSKT 电路图
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