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更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:用于 Skylake 处理器的可编程中等输入电压范围电源管理 IC (PMIC)

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TPS650830ZCGT 供应商

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TPS650830ZCGT 中文资料属性参数

  • 现有数量:496现货
  • 价格:1 : ¥65.75000剪切带(CT)250 : ¥46.96420卷带(TR)
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
  • 应用:转换器,移动式个人电脑
  • 电压 - 输入:5.4V ~ 24V
  • 输出数:8
  • 电压 - 输出:多重
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:159-TFBGA
  • 供应商器件封装:159-NFBGA(9x9)

产品特性

  • 5 个可重新配置的稳压器: 可在宽输入电压和宽输出电流范围内保持高效 可更改电压、电流和序列以优化系统 4 个采用外部功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的可变输出电压降压控制器: VR1 = 1V;VR3 = 3.3V,VR4 = 1.2V/1.35V/1.1V(对于 DDRx VDDQ),VR5 = 5V VIN 范围:5.4V 至 24V 采用外部功率 MOSFET,连续输出电流范围为 <1A 至 >10A 1 个带有内部功率 MOSFET 的可变输出电压降压转换器:VR2 = 1.8V VIN 范围:3V 至 3.6V 高达 2A 的持续输出电流 输出电压直流精度 ±1%;直流 + 交流精度 ±5%,支持差分输出电压感测 在超低静态电流模式下,每个控制器或转换器的静态电流典型值为 30μA
  • 可在宽输入电压和宽输出电流范围内保持高效
  • 可更改电压、电流和序列以优化系统
  • 4 个采用外部功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的可变输出电压降压控制器: VR1 = 1V;VR3 = 3.3V,VR4 = 1.2V/1.35V/1.1V(对于 DDRx VDDQ),VR5 = 5V VIN 范围:5.4V 至 24V 采用外部功率 MOSFET,连续输出电流范围为 <1A 至 >10A
  • VR1 = 1V;VR3 = 3.3V,VR4 = 1.2V/1.35V/1.1V(对于 DDRx VDDQ),VR5 = 5V
  • VIN 范围:5.4V 至 24V
  • 采用外部功率 MOSFET,连续输出电流范围为 <1A 至 >10A
  • 1 个带有内部功率 MOSFET 的可变输出电压降压转换器:VR2 = 1.8V VIN 范围:3V 至 3.6V 高达 2A 的持续输出电流
  • VR2 = 1.8V
  • VIN 范围:3V 至 3.6V
  • 高达 2A 的持续输出电流
  • 输出电压直流精度 ±1%;直流 + 交流精度 ±5%,支持差分输出电压感测
  • 在超低静态电流模式下,每个控制器或转换器的静态电流典型值为 30μA
  • 3 个固定输出电压低压降线性稳压器 (LDO): LDO1:1/2 VR4 固定输出电压 LDO(对于 DDRx VTT)(Vout = VDDQ/2)连续输出电流高达 1A,直流 + 交流精度 ±5%,峰值电流为 2A LDO3:3.3V 固定输出电压 LDO,直流精度 ±1%,电流 < 40mA用于外部模数转换器 (ADC) 的高精度参考电源 用于 EC_VCC 电源轨的 3.3V 负载开关 LDO5:5V 固定输出电压 LDO,直流精度 ±1%,电流 < 100mA用于控制器和转换器栅极驱动的电源 可自动切换至 5V 稳压器以实现高效率
  • LDO1:1/2 VR4 固定输出电压 LDO(对于 DDRx VTT)(Vout = VDDQ/2)连续输出电流高达 1A,直流 + 交流精度 ±5%,峰值电流为 2A
  • 连续输出电流高达 1A,直流 + 交流精度 ±5%,峰值电流为 2A
  • LDO3:3.3V 固定输出电压 LDO,直流精度 ±1%,电流 < 40mA用于外部模数转换器 (ADC) 的高精度参考电源 用于 EC_VCC 电源轨的 3.3V 负载开关
  • 用于外部模数转换器 (ADC) 的高精度参考电源
  • 用于 EC_VCC 电源轨的 3.3V 负载开关
  • LDO5:5V 固定输出电压 LDO,直流精度 ±1%,电流 < 100mA用于控制器和转换器栅极驱动的电源 可自动切换至 5V 稳压器以实现高效率
  • 用于控制器和转换器栅极驱动的电源
  • 可自动切换至 5V 稳压器以实现高效率
  • 8 个用于外部稳压器、负载开关或 LDO 的电源正常状态比较器和序列逻辑
  • 支持电源按钮逻辑且可编程响应时间
  • 2 个通用电平转换器
  • 用于实时时钟 (RTC) 域的备用电池/3.1V LDO 选择器输出
  • 电源检测和监视:适配器、电池 1 和电池 2
  • 过温保护比较器,用于堆叠式正温度系数 (PTC) 热敏电阻或单个负温度系数 (NTC) 热敏电阻
  • 1Hz 嵌入式控制器 (EC) 唤醒时钟输出
  • 先进的系统复位控制
  • I2C 接口:标准模式 (100kHz),快速模式 (400kHz),快速模式+ (1000kHz)
  • NVDC 或非 NVDC 电源系统架构
  • 2 节、3 节或 4 节串联锂电池供电类产品
  • 平板电脑、超极本、二合一电脑和笔记本电脑
  • 移动 PC、一体化计算机、移动因特网设备
  • 现场可编程逻辑门阵列 (FPGA),工业计量设备,个人医疗产品

产品概述

TPS650830 是一款单芯片解决方案电源管理集成电路 (IC),专为最新的 Intel 处理器而设计,主要应用于由 2 节、3 节或 4 节串联锂离子电池组供电且采用 NVDC 或非 NVDC 电源架构的平板电脑、超极本和笔记本电脑。TPS650830 应用于 Volume 系统,该系统采用合并式低电压轨,可实现体积最小且成本最低的系统电源解决方案。 TPS650830 可基于 Intel 参考设计提供完整的电源解决方案。 该器件具有 5 个高效降压稳压器 (VR) 和 1 个灌/拉 LDO,可与上电序列逻辑器件搭配使用以管理外部负载开关,从而提供正确的电源轨、排序和保护,其中包括 DDR3 和 DDR4 存储器电源。 该稳压器支持动态电压调节 (DVS),可最大限度地提高效率(包括联网待机功能)。 高频稳压器采用小型电感和电容,以减小解决方案体积。 可通过 4 个 VR 控制器调节输出功率。 凭借 I2C 接口,可以通过嵌入式控制器 (EC) 轻松加以控制。 每个器件版本均提供 7x7 NFBGA 和 9x9 NFBGA 两种封装。 7x7 NFBGA 封装适用于类型 4 印刷电路板 (PCB),可实现最小电路板面积。 9x9 NFBGA 封装适用于类型 3 和类型 4 PCB 板,可最大限度地降低成本并缩小电路板面积。

TPS650830ZCGT 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
TPS650830ZCGT

- Converter, Mobile PCs Voltage Regulator IC 8 Output 159-NFBGA (9x9)

157页,2.73M 查看

TPS650830ZCGT 电路图

TPS650830ZCGT 电路图

TPS650830ZCGT 电路图

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