更新日期:2024-04-01
产品简介:采用 4A 2MHZ VDDQ 直流/直流转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案
查看详情TPS54116QRTWTQ1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
TI
-
原厂原装
22+ -
3288
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
TI(德州仪器)
-
WQFN-24
2022+ -
12000
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
TPS54116QRTWTQ1 中文资料属性参数
- 现有数量:1,273现货
- 价格:1 : ¥49.93000剪切带(CT)250 : ¥35.67916卷带(TR)
- 系列:Automotive, AEC-Q100
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- 应用:转换器,DDR
- 电压 - 输入:2.95V ~ 6V
- 输出数:1
- 电压 - 输出:0.6V ~ 4.5V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:24-WFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:24-WQFN(4x4)
产品特性
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果: 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6
- 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
- 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6
- 单片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案
- 4A 同步降压转换器 集成了 33mΩ 高侧和 25mΩ 低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 固定频率电流模式控制 可调频率范围:100kHz 至 2.5MHz 与一个外部时钟同步 整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1% 可调逐周期峰值电流限制 针对预偏置输出的单调性启动
- 集成了 33mΩ 高侧和 25mΩ 低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 固定频率电流模式控制
- 可调频率范围:100kHz 至 2.5MHz
- 与一个外部时钟同步
- 整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1%
- 可调逐周期峰值电流限制
- 针对预偏置输出的单调性启动
- 直流精度为 ±20mV 的 1A 拉/灌电流终端低压降 (LDO) 稳压器 与 2 × 10µF 多层陶瓷电容 (MLCC) 电容一起工作时保持稳定 10mA 拉/灌电流缓冲参考输出稳定在 VDDQ 的 49% 至 51% 之间
- 与 2 × 10µF 多层陶瓷电容 (MLCC) 电容一起工作时保持稳定
- 10mA 拉/灌电流缓冲参考输出稳定在 VDDQ 的 49% 至 51% 之间
- 独立使能引脚,欠压闭锁 (UVLO) 和迟滞均可调
- 热关断
- 运行温度 (TJ) 范围:-40°C 至 150°C
- 24 引脚 4mm x 4mm 超薄四方扁平无引线 (WSON) 封装
- 嵌入式计算系统中的 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存储器电源
- SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12 和 HSTL 终端
- 信息娱乐和仪表板
- 先进的驾驶员辅助系统 (ADAS)
产品概述
TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸,开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求,而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件,并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整,从而针对小尺寸电感进行优化。VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应,从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测,从而实现最佳的稳压效果。该器件可利用使能引脚进入关断模式,从而使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。该器件具备全集成特性,并且采用小尺寸的 4mm × 4mm 耐热增强型 WQFN 封装,最大限度地减小了 IC 尺寸。
TPS54116QRTWTQ1 电路图

TPS54116QRTWTQ1 电路图
TPS54116QRTWTQ1 相关产品
- 2SD300C17A1
- 2SP0115T2A0-12
- 5962-1022101VSC
- 5962-8686102XA
- 5962-8688202XA
- 5962-89728022A
- 5962-89805012A
- 5962-8982402PA
- 5962-9322201MEA
- 7604501EA
- 85514012A
- 8551401PA
- 905X0205100
- 90E23PYGI8
- 90E24PYGI8
- 90E36ERGI
- A4910KJPTR-T
- A4915METTR-T
- A4930GETTR-T
- A4990KLPTR-T
- A5974AD
- A5974D
- A5975D
- A8304SESTR-T
- AAT2153IVN-0.6-T1
- AAT2823IBK-1-T1
- AAT4684ITP-T1
- AD536ASD/883B
- AD536ASH/883B
- AD580SH/883B