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更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:适用于 Intel VR13 CPU VCORE 和 DDR 存储器的两相 D-CAP+™ 降压控制器

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TPS53627RSMR 供应商

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TPS53627RSMR 中文资料属性参数

  • 现有数量:0现货9,000Factory查看交期
  • 价格:3,000 : ¥24.81562卷带(TR)
  • 系列:D-CAP+?
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 应用:控制器,Intel VR13
  • 电压 - 输入:4.5V ~ 28V
  • 输出数:1
  • 电压 - 输出:0.5V ~ 2.3V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:32-VQFN(4x4)

产品特性

  • 兼容 Intel®VR13 串行 VID (SVID)
  • 单相或两相运行
  • 支持压降和非压降 应用
  • 8 位 DAC,具有 10mV 的步长
  • 4.5V 至 28V 转换电压范围
  • 输出电压范围:0.5V 到 2.3V
  • 轻重负载情况下效率均得到优化
  • 8 级独立的过冲衰减 (OSR) 和下冲衰减 (USR)
  • 无驱动器配置,有助于实现高效的高频开关
  • 支持分立式、电源块、 功率级™或 DrMOS MOSFET 实施
  • 精确可调电压定位
  • 300kHz 至 1MHz 的频率选择
  • 已获专利 AutoBalance™相位均衡
  • 适用于负载瞬态升压的可编程 ON-Pulse 扩展
  • 可编程自动 DCM 和 CCM 运行
  • 可选 8 级电流限制
  • 小型 32 引脚 4mm × 4mm VQFN 封装 PowerPad™封装

产品概述

TPS53627 器件是兼容 VR13 SVID 的无驱动器同步降压控制器。高级控制 特性 (例如具有重叠脉冲的 D-CAP+ ™架构)支持下冲衰减 (USR) 和过冲衰减 (OSR),可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。该器件还支持在 CCM 和 DCM 运行情况下进行单相运行,从而提高轻负载情况下的效率。该器件集成了一整套 VR13 I/O 特性, 包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允许在 00h 到 07h 的时间范围内进行编程。输出电压转换率的可调节控制可编程为高达 20mV/uS。与 TI NexFET™功率级配合使用时,该总体解决方案可提供超高速度和低开关损耗。 TPS53627 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装,可在 –40°C 到 + 105°C 温度下运行。

TPS53627RSMR 电路图

TPS53627RSMR 电路图

TPS53627RSMR 电路图

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