TPS51716RUKR
特殊用途稳压器更新日期:2024-04-01
TPS51716RUKR 供应商
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TPS51716RUKR 中文资料属性参数
- 现有数量:8,998现货9,000Factory
- 价格:1 : ¥11.29000剪切带(CT)3,000 : ¥5.13961卷带(TR)
- 系列:D-CAP2?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- 应用:控制器,DDR
- 电压 - 输入:3V ~ 28V
- 输出数:3
- 电压 - 输出:0.7V ~ 1.8V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:20-WFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:20-WQFN(3x3)
产品特性
- 同步降压控制器 (VDDQ) 转换电压范围:3V 至 28V 输出电压范围:0.7V 至 1.8V0.8% VREF精度D-CAP2™针对陶瓷输出电容器的模式可选 500kHz/670kHz 开关频率自动跳频功能优化了轻负载和重负载时的效率 支持 S4/S5 状态中的软启动过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护电源正常输出
- 转换电压范围:3V 至 28V
- 输出电压范围:0.7V 至 1.8V
- 0.8% VREF精度
- D-CAP2™针对陶瓷输出电容器的模式
- 可选 500kHz/670kHz 开关频率
- 自动跳频功能优化了轻负载和重负载时的效率
- 支持 S4/S5 状态中的软启动
- 过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护
- 电源正常输出
- 2A LDO (VTT)、缓冲基准 (VTTREF) 2A(峰值)灌电流和拉电流 只需 10µF 陶瓷输出电容器经缓冲的,低噪声,10mA VTTREF 输出0.8% VTTREF,20mV VTT 精度在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持软关闭
- 2A(峰值)灌电流和拉电流
- 只需 10µF 陶瓷输出电容器
- 经缓冲的,低噪声,10mA VTTREF 输出
- 0.8% VTTREF,20mV VTT 精度
- 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持软关闭
- 热关断
- 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装
产品概述
TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个用于 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与
2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51716 采用融合了 500kHz 或 670kHz 工作频率的
D-CAP2 模式,此模式可在无需外部补偿电路的情况下支持陶瓷输出电容器。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT ,而且只需
10µF 的陶瓷电容。此外,该器件还 具有 专用 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和
VTTREF 放电(软关闭)。它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TI 的 TPS51716 采用 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装,且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。
TPS51716RUKR 电路图

TPS51716RUKR 电路图
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