更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:增强型产品完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案同步降压控制器
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TPS51216MRUKREP 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:1 : ¥30.61000剪切带(CT)3,000 : ¥17.31489卷带(TR)
- 系列:D-CAP?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- 应用:控制器,DDR
- 电压 - 输入:4.5V ~ 5.5V
- 输出数:2
- 电压 - 输出:0.7V ~ 1.8V
- 工作温度:-55°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:20-WFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:20-WQFN(3x3)
产品特性
- 同步降压控制器 (VDDQ) 转换电压范围:3 至 28 V 输出电压范围:0.7 至 1.8 V 0.8% VREF 精度 D-CAP™ 模式,可实现快速瞬态响应 可选 300kHz/400kHz 开关频率 自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率 支持 S4/S5 状态下的软关闭 OCL/OVP/UVP/UVLO 保护 电源正常输出
- 转换电压范围:3 至 28 V
- 输出电压范围:0.7 至 1.8 V
- 0.8% VREF 精度
- D-CAP™ 模式,可实现快速瞬态响应
- 可选 300kHz/400kHz 开关频率
- 自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率
- 支持 S4/S5 状态下的软关闭
- OCL/OVP/UVP/UVLO 保护
- 电源正常输出
- 2A LDO (VTT)、缓冲基准 (VTTREF) 2A(峰值)灌电流和拉电流 只需 10µF 陶瓷输出电容 经缓冲的低噪声 10mA VTTREF 输出 0.8% VTTREF,20mV VTT 精度 在 S3 下支持高阻抗,在 S4/S5 下支持软关闭
- 2A(峰值)灌电流和拉电流
- 只需 10µF 陶瓷输出电容
- 经缓冲的低噪声 10mA VTTREF 输出
- 0.8% VTTREF,20mV VTT 精度
- 在 S3 下支持高阻抗,在 S4/S5 下支持软关闭
- 热关断
- 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装
- 支持国防、航天和医疗应用 受控基线 一个组装/测试基地 一个制造基地 支持军用(-55°C 至 125°C)温度范围,(1) 延长了产品生命周期 延长了产品变更通知 产品可追溯性
- 受控基线
- 一个组装/测试基地
- 一个制造基地
- 支持军用(-55°C 至 125°C)温度范围,(1)
- 延长了产品生命周期
- 延长了产品变更通知
- 产品可追溯性
产品概述
TPS51216-EP 以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP™ 模式与 300kHz/400kHz 频率相结合,以实现易用性和快速瞬态响应。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10µF 的陶瓷电容器。此外,还提供专用的 LDO 电源输入。TPS51216-EP 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于高阻抗状态(处于 S3)并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电(软关闭)。
TPS51216MRUKREP 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
D-CAP? Controller, DDR Voltage Regulator IC 2 Output 20-WQFN (3x3) |
34页,1.44M | 查看 |
TPS51216MRUKREP 电路图

TPS51216MRUKREP 电路图
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