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更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:30V、7 通道汽车类 NMOS 阵列低侧驱动器

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TPL7407LAQPWRQ1 供应商

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TPL7407LAQPWRQ1 中文资料属性参数

  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥4.93000剪切带(CT)2,000 : ¥1.97953卷带(TR)
  • 系列:Automotive, AEC-Q100
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
  • 开关类型:继电器,螺线管驱动器
  • 输出数:7
  • 比率 - 输入:输出:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:并联
  • 电压 - 负载:30V(最大)
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):6.5V ~ 30V
  • 电流 - 输出(最大值):500mA
  • 导通电阻(典型值):-
  • 输入类型:CMOS
  • 特性:-
  • 故障保护:-
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:16-TSSOP
  • 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

产品特性

  • 符合汽车类应用的 标准
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果: 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围器件 HBM ESD 分类等级 2器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类等级 2
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 600mA 额定漏极电流(每通道)
  • 7 通道达林顿晶体管阵列 CMOS 引脚对引脚改善(例如:ULN2003A)
  • 能效(极低 VOL) 电流为 100mA 时,VOL 低于达林顿晶体管阵列的四分之一
  • 电流为 100mA 时,VOL 低于达林顿晶体管阵列的四分之一
  • 输出泄露极低,每通道小于 10nA
  • 高压输出 30V
  • 与 1.8V 和 5V 微控制器和逻辑接口兼容
  • 用于提供电感反冲保护的内部自振荡二极管
  • 可借助输入下拉电阻器实现三态输入驱动器
  • 用来消除嘈杂环境中的杂散运行的输入 RC 缓冲器
  • ESD 保护性能超出 JESD 22 标准 2kV HBM,500V CDM
  • 2kV HBM,500V CDM

产品概述

TPL7407LA-Q1 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵列。这个器件包含 7 个具有高压输出的 NMOS 晶体管,这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。器件添加了新的调节和驱动电路,可在全部 GPIO 范围(1.8V 至 5V)提供最大驱动能力。这些晶体管还可以通过采用并联方式来提供更高的电流。相比双极达林顿晶体管实施,TPL7407LA-Q1 的主要优势在于其具有更高的能效和更低的泄漏。依赖于较低的 VOL,功率耗散比传统继电器驱动器减少一半,每通道的电流低于 250mA。

TPL7407LAQPWRQ1 电路图

TPL7407LAQPWRQ1 电路图

TPL7407LAQPWRQ1 电路图

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