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- 封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带盒（TB）
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：JFET GP N-CH 30V TO-92
- 封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带盒（TB）
TIS75_D75Z 中文资料属性参数
- 标准包装：2,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：JFET（结点场效应
- 系列：-
- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：8mA @ 15V
- 漏极至源极电压(Vdss)：-
- 漏极电流 (Id) - 最大：-
- FET 型：N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V
- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：800mV @ 4nA
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：18pF @ 10V（VGS）
- 电阻 - RDS（开）：60 欧姆
- 安装类型：通孔
- 包装：带盒（TB）
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 功率 - 最大：350mW
TIS75_D75Z 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 TIS75_D75Z
|
JFET GP N-CH 30V TO-92 |
4页,28K | 查看 |