搜索
发布采购
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
产品简介：JFET N-CHAN 25V SOT-23
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
PMBFJ108,215 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
NXP
-
-
21+ -
12000
-
上海市
-
-
-
原装现货!品质为先！请来电垂询！
PMBFJ108,215 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：JFET（结点场效应
- 系列：-
- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：80mA @ 15V
- 漏极至源极电压(Vdss)：25V
- 漏极电流 (Id) - 最大：-
- FET 型：N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25V
- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：10V @ 1µA
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：30pF @ 10V（VGS）
- 电阻 - RDS（开）：8 欧姆
- 安装类型：表面贴装
- 包装：带卷 (TR)
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 功率 - 最大：250mW
PMBFJ108,215 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PMBFJ108,215
|
JET, N CH, 25V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:80mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-3V; Power Dissipation Pd:250mW; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Current Idss Min:80mA; Package / Case:SOT-23; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel |
8页,47K | 查看 |