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- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.08653
更新日期：2024-04-01
产品简介：IC JFET N-CH 30V 10MA CP
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.08653
2SK3666-2-TB-E 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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onsemi
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SC-60
21+ -
488559
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上海市
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-
-
一级代理原装
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ONS
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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ON Semiconductor
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23+ -
4000
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上海市
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2SK3666-2-TB-E 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：JFET（结点场效应
- 系列：-
- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：600µA @ 10V
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 漏极电流 (Id) - 最大：10mA
- FET 型：N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-
- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：180mV @ 1µA
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：4pF @ 10V
- 电阻 - RDS（开）：200 欧姆
- 安装类型：表面贴装
- 包装：带卷 (TR)
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：3-CP
- 功率 - 最大：200mW
2SK3666-2-TB-E 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2SK3666-2-TB-E
|
Amplifier; RF, J-FET, N-ch, 30V, 10mA, Crss1.1pF, CP |
4页,27K | 查看 |