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更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:具有 8V UVLO 和自适应延迟的 1.8A、100V 半桥栅极驱动器

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SM74104SD/NOPB 供应商

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SM74104SD/NOPB 中文资料属性参数

  • 现有数量:1,888现货10,000Factory
  • 价格:1 : ¥28.14000剪切带(CT)1,000 : ¥15.93160卷带(TR)
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
  • Digi-Key Programmable:Not Verified
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电:9V ~ 14V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH:0.8V,2V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.6A,1.6A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):118 V
  • 上升/下降时间(典型值):600ns,600ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:10-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:10-WSON(4x4)

产品特性

  • 可再生能源等级
  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 具有可编程附加延迟的自适应上升沿和下降沿
  • 单输入控制
  • 自举电源电压高达 118VDC
  • 短暂关断传播延迟(典型值为 25ns)
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 电源轨欠压锁定
  • 电流反馈推挽式电源转换器
  • 高电压降压稳压器
  • 有源钳位正激电源转换器
  • 半桥和全桥转换器

产品概述

SM74104 高压栅极驱动器设计用于驱动采用同步降压配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。 该悬空高侧驱动器能够在高达 100V 的电源电压下工作。 高侧和低侧栅极驱动器由单个输入控制。 该器件采用自适应方式来控制每一个状态变化,从而避免发生击穿。 除了自适应转换时序之外,还可以添加与外部设置电阻成比例的附加延时。 该器件集成了一个高压二极管,用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。 稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。 该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。

SM74104SD/NOPB 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SM74104SD/NOPB

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 10-WSON (4x4)

25页,1.2M 查看

SM74104SD/NOPB 电路图

SM74104SD/NOPB 电路图

SM74104SD/NOPB 电路图

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