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SI1563EDH-E3

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 20V 1.28/1.0

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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SI1563EDH-E3

MOSFET

产品简介：MOSFET 20V 1.28/1.0

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 20V 1.28/1.0

SI1563EDH-E3 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 12 V
  • 漏极连续电流：1.28 A, - 1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.28 Ohms at 4.5 V, 0.49 Ohms at - 4.5 V
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-363-6
  • 封装：Reel
  • 下降时间：210 nS, 850 nS
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2.6 S, 1.5 S
  • 栅极电荷 Qg：0.65 nC, 1.2 nC
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：570 mW
  • 上升时间：85 nS, 480 nS
  • 工厂包装数量：3000
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：350 nS, 840 nS

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