- 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:JFET N-CHAN DUAL 25V SOT363
- 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
PMBFJ620,115 供应商
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NXP
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SOT363
21+ -
30000
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上海市
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PMBFJ620,115 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:JFET(结点场效应
- 系列:-
- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):24mA @ 10V
- 漏极至源极电压(Vdss):25V
- 漏极电流 (Id) - 最大:-
- FET 型:2 个 N 沟道(双)
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):25V
- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:2V @ 1µA
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:5pF @ 10V
- 电阻 - RDS(开):50 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:6-TSSOP
- 功率 - 最大:190mW