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- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$0.2475-$0.62
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：JFET P-CHAN 30V SOT-23
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$0.2475-$0.62
PMBFJ176,215 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
NXP Semiconductors
-
TO-236AB
21+ -
485
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
PMBFJ176,215 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：JFET（结点场效应
- 系列：-
- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：2mA @ 15V
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 漏极电流 (Id) - 最大：-
- FET 型：P 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V
- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：1V @ 10nA
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：8pF @ 10V（VGS）
- 电阻 - RDS（开）：250 欧姆
- 安装类型：表面贴装
- 包装：Digi-Reel?
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 功率 - 最大：300mW
- 其它名称：568-2082-6
PMBFJ176,215 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PMBFJ176,215
|
JET, P CH, 30V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:2mA to 35mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:4V; Power Dissipation Pd:300mW; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Current Idss Max:35mA; Current Idss Min:2mA; Package / Case:SOT-23; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:P Channel |
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