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- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：JFET P-CHAN 30V SOT-23
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
PMBFJ174,215 供应商
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PMBFJ174,215 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：JFET（结点场效应
- 系列：-
- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：20mA @ 15V
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 漏极电流 (Id) - 最大：-
- FET 型：P 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V
- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：5V @ 10nA
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：8pF @ 10V（VGS）
- 电阻 - RDS（开）：85 欧姆
- 安装类型：表面贴装
- 包装：带卷 (TR)
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 功率 - 最大：300mW
PMBFJ174,215 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PMBFJ174,215
|
JFET P-CHAN 30V SOT-23; Transistor Type:JFET; Voltage V(br)gss:30V; Max Voltage Vgs Off:10V; Power Dissipation:300mW; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; Case Style:SOT-23; Max Current Idss:135mA; Min Current Idss:20mA; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:P Channel |
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