- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:JFET N-CHAN 25V SOT-23
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
PMBFJ109,215 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:JFET(结点场效应
- 系列:-
- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):40mA @ 15V
- 漏极至源极电压(Vdss):25V
- 漏极电流 (Id) - 最大:-
- FET 型:N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):25V
- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:6V @ 1µA
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:30pF @ 10V(VGS)
- 电阻 - RDS(开):12 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 功率 - 最大:250mW
PMBFJ109,215 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
JET, N CH, 25V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:40mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-2V; Power Dissipation Pd:250mW; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Current Idss Min:40mA; Package / Case:SOT-23; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel |
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