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PEMB9,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 封装：SOT-563，SOT-666
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel®
  • 参考价格：$0.08366-$0.45

更新日期：2024-04-01

PEMB9,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

产品简介：TRANSISTOR PNP/PNP RES SOT666

  • 封装：SOT-563，SOT-666
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel®
  • 参考价格：$0.08366-$0.45

PEMB9,115 供应商

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PEMB9,115 中文资料属性参数

  • 特色产品：NXP - I2C Interface
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 5mA，5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：100mV @ 250µA，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：1µA
  • 频率 - 转换：-
  • 功率 - 最大：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装：SOT-666
  • 包装：Digi-Reel®
  • 其它名称：568-6458-6

PEMB9,115 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
PEMB9,115

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

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